H4膜料的特性2013/10/30
H4膜料的特性
成分 | 钛镧混合物 |
外观 | 1-4mm的黑色颗料 |
密度 | 5.9g/cm3 |
熔化温度 | 1800℃ |
沉积温度 | 2200～2300℃ |
沉积源 | 电子束 |
坩埚 | 铜或钼 |
氧气压力 | 0.8-2×10-4 |
沉积速率 | 0.2-0.8nm/秒 |
基片温度 | 大约30-300℃ |
H4膜层特性
基片温度 | 大约30℃ 300℃ |
50nm的折射率 | 1.99 2.12 |
400nm折射 | ＜2×10-4 |
吸收边缘 | 300nm |
吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。 | |
折射率的散布
基片温度 | 散布公式 |
大约30℃ | n=1.887+25410/波长2 |
100℃ | n=1.982+29820/波长2 |
300℃ | n=2.009+28880/波长2 |
